Shenzhen Hisilicon Semiconductor Co., Ltd.

thesynonymhisilicon (AsemiconductorCompanyofHuawei) obecně referstoshenzhenhisiliconco. čas.

Dne 19. června 2018 byla založena společnost ShanghaiHiSiliconCo., Ltd. se sídlem v ShanghaiR&DCenter a její produkty byly poprvé uvedeny na veřejný trh.

V lednu 2017 byl Kirin960 vybrán jako „Nejlepší procesor pro Android roku 2016“ organizací AndroidAuthority.

InOctober2016,HiSiliconreleasedtheKirin960,whichhasaGPUthatis180%higherthanthepreviousgeneration,andismainlyequippedwithHuaweimate9.

OnFebruary23,2016,HuaweiKirin950wontheGTIInnovativeTechnologyProductAwardatthe2016MobileWorldCongress.

InMay2015,HuaweiHiSiliconannouncedthecompletionofLTECat.11trialswithQualcomm,withamaximumdownlinkrateof600Mbps.

V dubnu 2015 vydala společnost HiSilicon model Kirin935, který je vybaven především špičkovou verzí HuaweiP8 a Honor7.

V roce 2015 na MWC vydal HiSilicon 64bitový 8jádrový čip HiSiliconKirin930, který je namontován na HonorX2 a HuaweiP8 (některé verze).

3. prosince 2014 vydal HiSilicon 64bitový 8jádrový čip-Kirin620 (kirin620), který je vybaven HonorPlay4X/4CandHuaweiP8Youth Edition.

OnOctober13,2014,HiSiliconreleasedtheHiSiliconKirin928chip,anditwasinstalledintheHuaweiHonor6ExtremeEdition

4. září 2014 vydala společnost HiSiliconsuperoktajádrový čip HiSilicon925, 4jádra ARMA, 4jádra ARMA, plus koprocesor, vestavěné základní pásmo pro podporu standardní sítě LTECat.6, vybavené Huawei6Plus7,Honor6Plus7

June2014HiSiliconReleasedtheocta-coreHiSiliconKirin920chip,andlauncheditonHuaweiHonor6thatmonth.

V květnu 2014 vydal HiSilicon čtyřjádrový Kirin910T (kirin910T), vybavený na HuaweiP7.

InFebruary2012attheCESconferenceinBarcelona,​​HiSiliconreleasedthequad-coremobilephoneprocessorchipK3V2,anditwaslaunchedwithAscendD

V červnu 2008 se HiSilicon zúčastnil mezinárodní počítačové výstavy 2008 Taipei (COMPUTEXTAIPEI).)

V březnu 2008 společnost HiSilicon vydala světově první ultra-nízkoenergetický DVB-Csinglechip se zabudovaným QAM

InMarch2008,HiSiliconparticipatedinthe16thChinaInternationalRadioandTelevisionInformationNetworkExhibition(CCBN2008)

InNovember2007,HiSiliconparticipatedinthe2007ChinaInternationalSocialSecurityProductsExpo

V srpnu 2007 se HiSilicon zúčastnil GDSFCHINA2007

p>

V srpnu 2007 se HiSilicon zúčastnil ICChina2007

InMarch2007,HiSiliconparticipatedinthe15thChinaInternationalRadioandTelevisionInformationNetworkExhibition(CCBN2007)

InOctober2006,HiSiliconparticipatedinthe2006ChinaInternationalSocialPublicSafetyProductsExpo

InJune2006,HiSiliconlaunchedthepowerfulH.264videocodecchipHi3510attheTAIPEICOMPUTEXexhibition

InJune2006,HiSiliconparticipatedinthe10thChinaInternationalSoftwareExpoin2006

InNovember2005,HiSiliconparticipatedinthesecurityexhibition,Mr.Aigaveaspeechtomanysecuritymanufacturers

V říjnu 2004 byla společnost ShenzhenHiSiliconSemiconductor Co., Ltd. zaregistrována a společnost byla formálně založena.

Na konci roku 2003 byly úspěšně vyvinuty první desítky milionů ASIC na úrovni brány společnosti HiSilicon

V roce 2002 byl úspěšně vyvinutý první blok COTchip společnosti HiSilicon

V roce 2001 byl čip základnové stanice WCDMA úspěšně vyvinutý

V roce 2000 byla úspěšně vyvinuta první milionová brána ASIC společnosti HiSilicon

1998Uspěchaný úspěšný vývoj digitálního-analogového hybridního ASIC

V roce 1996 byl úspěšně vyvinut první 100 000bránový ASIC společnosti HiSilicon

V roce 1993 byl úspěšně vyvinut první digitální ASIC společnosti HiSilicon

>

V roce 1991 byla založena HuaweiASICDesignCenter (předchůdce ShenzhenHiSiliconSemiconductor Co., Ltd.)

HonorsandContributions

V červnu 2014 byl spuštěn první čip Cat6 na světě – HisiliconKirin920.

InJune2009,itlaunchedtheK3platformusingtheMobilesmartoperatingsystem.

V dubnu 2006 prošel certifikací ISO9001.

V únoru 2006 prošel certifikací Shenzhen High-tech EnterpriseQualification.

InDecember2005,itwasrecognizedasanintegratedcircuitdesignenterprise.

InOctober2005,itpassedthecertificationofdesignatedunitsfortheproductionofcommercialcryptographicproducts.

V lednu 2005 byl v Číně spuštěn první vlastní vyvinutý 10GNP (síťový procesor).

InOctober2004,320Gswitchingnetworkchipsand10Gprotocolprocessingchipsweresuccessfullydeveloped,markingthatHiSiliconhasmasteredthecorechiptechnologyofhigh-endrouters.

December2003,undertookthedevelopmentofthethird-generationmobilecommunicationdedicatedchips(chipsets)forkeybreakthroughprojectsinkeyareasofGuangdongProvince,whichwillbeusedinWCDMAterminals.

InNovember2003,theworld'sleadinghigh-endopticalnetworkchipwaslaunched.Thechipusesa0.13umprocesswithadesignscaleofmorethan13milliongates.HiSiliconhasmasteredthecorechiptechnologyintheopticalnetworkfieldandhasbeguntotakethelead.

InJuly2003,undertookthedevelopmentofcorerouterchipsfortheNational863Project,providinghigh-endroutersandhigh-endEthernetswitcheswithswitchingnetworkchipsandIPprotocolprocessingchipswithprocessingcapabilitiesof320Gandabove.

InMarch2001,thefirstdomesticWCDMAbasestationpackagewaslaunched,markingthatHiSiliconwasattheforefrontof3Gtechnology.

InApril2020,itwasselectedasoneofthetop200Chineseimportcompaniesin2019.

4. srpna 2020 se HiSilicon umístil na 1. místě mezi 50 nejlepšími čínskými vítěznými podniky v roce 2020.

Produkty čipu

Mobilní procesor

Název

Zpracovat

série

Procesor

GPU

td>
Mobilní procesor

K3V1

K3V2

>

40 nm

4xA91,4GHz

VivanteGC4000

K3V2E

4xA91,5GHz

Kirin620

>

28 nm

série 6

>

8xA531,2 GHz

>

Mali-450MP4500MHz

kirin910

>

28 nm

9série

>

4xA91,6GHz

>

Mali-450MP4533MHz

kirin910T

>

28 nm

9série

>

4xA91,8 GHz

Mali450MP4

Kirin920

>

28 nm

>

9

4xA151,7GHz+4xA71,3GHz

>

Mali-T624MP4600MHz

kirin925

>

28 nm

9série

4xA151,8GHz+4xA71,3GHz

Mali-T624

Kirin928

>

28 nm

9série

4xA152.0GHz+4xA71.3GHz

Mali-T628MP4

Kirin930

>

28 nm

9série

4xA532.2–1.9GHz+4xA531.5GHz

Mali628MP4680MHz

Kirin935

>

28 nm

9série

4xA532,2GHz+4xA531,5GHz

Mali-T628

Kirin650

>

16nm

série 6

4xA532,36GHz+4xA531,7GHz

>

Mali-T830900 MHz

kirin659

>

16nm

série 6

4xA532.0GHz+4xA531.7GHz

Mali-T830MP2

Kirin950

>

16nm

9série

4xA722,3GHz+4xA531,8GHz

MaliT880MP4

kirin955

>

16nm

9série

4xA722,5GHz+4xA531,8GHz

>

MaliT880MP4900MHz

Kirin960

>

16nm

9série

4xA732,4GHz+4xA531,8GHz

MaliG71MP8

p>

kirin710

>

12nm

7řada

4×A732,2GHz+4×A531,7GHz

>

MaliG51

kirin970

>

10 nm

9série

>

4xA73+4xA53

Mali-G72MP12

Kirin810

Kirin820

>

7 nm

7 nm

série 8

série 8

2xA762,27GHz+6xA551,88GHz

1*Cortex-A76Based 2,36GHz+3*Cortex-A76Based 2,22GHz+4*Cortex-A551,84GHz

Mali-G52

Mali-G77

Kirin980

Kirin985

>

7 nm

7 nm

9série

série 9

2xA762,6GHz+2xA761,92GHz+4xA551,8GHz

1*Cortex-A76Based 2.58GHz+3*Cortex-A76Based 2.40G+4*Cortex-A551.84GHz

Mali-G76MP10

Mail-G77

kirin990

>

7 nm

9série

2xA762,86GHz+2xA762,09GHz+4xA551,86GHz

Mali-G76MP16

td>

Kirin9905G

>

7nm+EUV

td>

série 9

2xA762,86GHz+2xA762,36GHz+4xA551,95GHz

Mali-G76MP16

Kirin9000E

5 nm

9série

1xA773.13GHz+3xA772.54GHz+4xA552.04GHz

Mali-G78MP22

kirin9000

5 nm

9série

1xA773.13GHz+3xA772.54GHz+4xA552.04GHz

Mali-G78MP24

Communicationbaseband

Název

Komunikační protokol

Communicationbaseband

Barong700

LTETDD/FDD

Barong710

LTEFDD/TDDCat.4

Balong720

LTEFDD/TDDCat.6

td>

Barong730

LTECat.12andCat.13UL

Barong765

LTECat.19

Barong5G01

3GPPRel.15

Barong5000

multirežim 2G/3G/4G/5G

AIprocessor

Název

Spotřeba energie

AIprocessor

Shengteng310

>

8 W

Shengteng910

>

350 W

ServerProcessor

Název

Architektura

Zpracovávání

Jádro

Frekvence

Maximální spotřeba

ServerProcessor

Kunpeng920

>

ARMv8.2

>

7 nm

64

>

2,6 GHz

>

180 W

Networkprocessing

NetworkProcessor

název

Šířka pásma

Vytváření sítí

Procesor

Protokol přenosu elektrické sítě

Hardwarový engine

Bezdrátové frekvenční pásmo

Přenosový standard

WiFi

Zabezpečení

Lingxiao650

160 MHz@E2E

Wi-Fi+PLChybridní síť

4jádrový Cortex-A53@1,4 GHz

WiFi offloading

TrustZone

td>

Hi6530

Čtyřjádrový CortexA9

G.hngigabitpowerline,PLCTurbo

IPv4/IPv6

p>

2,4 GHz a 5 GHz

802.11ac/a/n,

802.11b/g/n

Soutěžící

Qualcomm,SamsungElectronics,Nvidia,MediaTek atd.

Související články
HORNÍ